Это решение станет ключевым шагом для производителей смартфонов, стремящихся справляться с растущими требованиями искусственного интеллекта и других ресурсоемких задач.
Согласно заявлению Samsung, новый накопитель обеспечивает впечатляющую скорость последовательного чтения до 10,8 ГБ/с и записи до 9,5 ГБ/с. Эти показатели более чем вдвое превышают возможности текущего стандарта UFS 4.1. Кроме того, скорость произвольного чтения увеличилась в пять раз, что делает UFS 5.0 по-настоящему прорывной технологией.
Добиться таких результатов удалось благодаря использованию передового протокола UniPro 3.0, физического уровня M-PHY 6.0, а также внедрению усовершенствованной технологии сигнализации PAM4. Эти нововведения не только повышают эффективность передачи данных, но и минимизируют накладные расходы.
Энергоэффективность также стала одним из ключевых преимуществ UFS 5.0. По данным компании, новый стандарт на 40% эффективнее по сравнению с UFS 4.1, что особенно важно в эпоху, когда смартфоны все чаще выполняют сложные вычисления на базе искусственного интеллекта прямо на устройстве.
Помимо этого, Samsung уменьшила размер корпуса накопителя на 16,7%, что открывает дополнительные возможности для оптимизации внутреннего пространства смартфонов.
Массовое производство накопителей UFS 5.0 стартует в конце 2026 года. Ожидается, что первые устройства с новой технологией появятся на рынке в первой половине 2027 года. Среди них, вероятно, окажутся и флагманские модели Samsung, включая серию Galaxy S27, которые станут одними из первых обладателей этого прорывного решения.
Кроме того, Samsung готовит процессор Exynos 2700 для флагманов Galaxy S27 который, как ожидается, станет ключевой частью будущей линейки премиум-смартфонов Galaxy S.
Источник: smartprix
